Prema izvještajima stranih medija, inženjeri Instituta za elektronske informacione tehnologije (Leti), podružnice Francuske agencije za atomsku energiju (CEA), tvrde da će njihov novi način proizvodnje Micro LED-a revolucionirati proizvodnju ekrana visokih performansi, uz struju LCD ekrani i odličan kvalitet slike i dizajn energetske efikasnosti u odnosu na organske LED diode (OLED).
Francois Templier, direktor marketinške strategije za Leti Photonics, nedavno je predstavio novi proizvodni proces koji kombinira svjetlosne poluvodiče sa silikonskim upravljačkim krugovima na Međunarodnom tjednom prikaza informacija (SID) u San Jose, Kalifornija.
Razvoj velikih ekrana koji zahtevaju veću rezoluciju slike znači da su potrebni brži elektronski uređaji za pokretanje svih tipova ekrana, uključujući i Samsung-ov novi komercijalni Micro, koji uključuje milione pojedinačnih emitera piksela. LED format i ostali proizvodi.
Međutim, postojeći pogonski krugovi zasnovani na tankoslojnom tranzistorskom (TFT) aktivnom matrici ne pružaju zahtijevane zahtjeve struje i brzine. Nova metoda koju je razvila kompanija Leti proizvodi GaN Micro LED ekran visokih performansi koji pokreće CMOS sa pojednostavljenim procesom prenosa koji eliminiše potrebu za konvencionalnom TFT pozadinskom linijom. Crvene, zelene i plave Micro LED diode se slažu direktno na mikro CMOS krug prije prijenosa svake jedinice na jednostavnu prijemnu podlogu, a svjetlosni emiteri i ploča se istovremeno izrađuju na vafelskoj skali na jednoj liniji za obradu poluvodiča.
